EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ELPIDA |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP28,.46 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.41 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP28,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.00015 A |
| 最大压摆率 | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| HM51W17805LTT-6 | HM51W17805TS-6 | HM51W17805S-5 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 | EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 | EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TSOP | TSOP | SOJ |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP28,.46 | TSOP2, TSOP28,.34 | SOJ, SOJ28,.34 |
| 针数 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns | 60 ns | 50 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 18.41 mm | 18.41 mm | 18.41 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM | EDO DRAM | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2MX8 | 2MX8 | 2MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 | TSOP2 | SOJ |
| 封装等效代码 | TSOP28,.46 | TSOP28,.34 | SOJ28,.34 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 | 2048 | 2048 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 3.76 mm |
| 自我刷新 | YES | NO | NO |
| 最大待机电流 | 0.00015 A | 0.001 A | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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