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HYMD132725B8J-J

产品描述DDR DRAM Module, 32MX72, 0.7ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
产品类别存储    存储   
文件大小238KB,共16页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYMD132725B8J-J概述

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.7ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184

HYMD132725B8J-J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度2415919104 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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