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HY5MS5B2LF-S: 产品描述DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共64页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY5MS5B2LF-S概述

DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

HY5MS5B2LF-S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
长度	13 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	8MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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256MBit MOBILE DDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O

Document Title

256MBit (4Bank x 2M x 32bits) MOBILE DDR SDRAM Memory

Revision History

Revision No.

1.0

History

Release

Draft Date

Aug. 2006

Remark

Final

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 /Aug. 2006

Mobile DDR Memory 256Mbit (8Mx32bit)

HY5MS5B2LF(P)-xE Series

DESCRIPTION

The Hynix Mobile DDR SDRAMs is suited for non-PC application which use the batteries such as PDAs, 2.5G and 3G

cellular phones with internet access and multimedia capabilities, mini-notebook, handheld PCs.

The Hynix HY5MS5B2LF(P)-xE Series is 268,435,456-bit CMOS Low Power Double Data Rate Synchronous

DRAM(Mobile DDR), ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high

bandwidth. It is organized as 4banks of 2,097,152 x32.

The HYNIX HY5MS5B2LF(P)-xE Low power Double Data Rate SDRAM(Mobile DDR) uses a double-data-rate architec-

ture to achieve high-speed operation. The address lines are multiplexed with the Data Input/ Output signals on a mul-

tiplexed x32 Input/ Output bus. The double data rate architecture is essentially a 2

prefetch architecture with an

interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. This interface reduces the pin count and

makes it possible to migrate to other densities without changing the footprint.

The Hynix HY5MS5B2LF(P)-xE Serises Low power DDR SDRAMs(Mobile DDR) offer fully synchronous operations refer-

enced to both rising and falling edges of the clock. While all addresses and control inputs are latched on the rising

edges of the CK (The Mobile DDR operates from a differential clock

: the crossing of CK going HIGH and CK going LOW

is referred to as the positive edge of CK

), Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising

and falling edges of it (

Input data is registered on both edges of DQS, and output data is referenced to both edges of

DQS, as well as to both edges of CK

). The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high

bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with Interface of Low Power DDR SDRAM(Mobile DDR)

Device.

Read and write accesses to the Low Power DDR SDRAMs(Mobile DDR) are burst oriented;

accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence.

Accesses begin with the registration of an ACTIVE command, which is then followed by a READ or WRITE command.

The address bits registered coincident with the ACTIVE command are used to select the bank and the row to be

accessed. The address bits registered coincident with the READ or WRITE command are used to select the bank and

the starting column location for the burst access.

The Low Power DDR SDRAMs(Mobile DDR) provides for programmable read or write bursts of 2, 4 or 8 locations. An

AUTO PRECHARGE function may be enabled to provide a self-timed row precharge that is initiated at the end of the

burst access.

As with standard SDRAMs, the pipe lined, multibank architecture of Low Power DDR SDRAMs(Mobile DDR) allows for

concurrent operation, thereby providing high effective bandwidth by hiding row precharge and activation times.

And the Low Power DDR SDRAMs(Mobile DDR) also provides for special programmable options including Partial Array

Self Refresh of a quarter bank, a half bank or all banks, Temperature Compensated Self Refresh of 45 or 85 degrees

A burst of Read or Write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted

and replaced by a new burst Read or Write command on any cycle(This pipelined design is not restricted by a 2N rule).

Rev 1.0 /Aug. 2006

HY5MS5B2LF-S相似产品对比

	HY5MS5B2LF-S	HY5MS5B2LFP-6	HY5MS5B2LFP-S	HY5MS5B2LFP-H	HY5MS5B2LF-6	HY5MS5B2LF-H
描述	DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	DDR DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	DDR DRAM, 8MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	DDR DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	DDR DRAM, 8MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90	90	90	90	90	90
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	5.5 ns	7 ns	6.5 ns	5.5 ns	6.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	166 MHz	100 MHz	133 MHz	166 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	90	90	90	90	90	90
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	20	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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