HY62U8512LLST-10I,HY62U8512LLST-10I pdf中文资料,HY62U8512LLST-10I引脚图,HY62U8512LLST-10I电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY62U8512LLST-10I

HY62U8512LLST-10I: 产品描述Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小263KB，共9页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY62U8512LLST-10I概述

Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32

HY62U8512LLST-10I规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	100 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e6
长度	11.8 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

HY62U8512LLST-10I相似产品对比

	HY62U8512LLST-10I	HY62U8512LST-12I	HY62U8512LLST-12I	HY62U8512LST-85I	HY62U8512LLST-85I	HY62U8512LST-10I
描述	Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
零件包装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1
包装说明	TSOP1,	TSOP1,	8 X 13.40 MM, TSOP1-32	TSOP1,	TSOP1,	TSOP1,
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	120 ns	120 ns	85 ns	85 ns	100 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e6	e6
长度	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

HY62U8512LLST-10I

HY62U8512LLST-10I概述

HY62U8512LLST-10I规格参数

HY62U8512LLST-10I相似产品对比

推荐资源