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PU3162

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 200V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小167KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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PU3162概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 200V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin

PU3162规格参数

参数名称属性值
厂商名称Panasonic(松下)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PSIP-T8
元件数量3
端子数量8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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