PZTA92S62Z,PZTA92S62Z pdf中文资料,PZTA92S62Z引脚图,PZTA92S62Z电路-Datasheet-电子工程世界

PZTA92S62Z: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小118KB，共3页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

PZTA92S62Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

	PZTA92S62Z	MMBTA92L99Z	PZTA92L99Z	MMBTA92S62Z
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	300 V	300 V	300 V	300 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25	25	25	25
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G3	R-PDSO-G4	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	3	4	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz

【TI首届低功耗设计大赛】试玩Hijack(5):暗送秋波——逻辑门小实验: [i=s] 本帖最后由 sacq 于 2014-11-29 16:27 编辑 [/i]闲话：虽已是冬季，但还是想八卦一下，在过去的秋季里，童鞋们都收获（送出）了多少“菠菜”呢？这里借用手机里Hijack的“眼球”做个小实验，看能不能完成传送秋波的任务。有时，因为不知手中的一块数字电路的功能好坏而纠结，哪怕是简单的逻辑门。于是乎，利用手机和金刚狼的Hijack能就燃眉之急。基本功能：测试数字逻辑门电...; sacq 微控制器 MCU

ST啥时候出第二代的Cortex-M3: ST啥时候出第二代的Cortex-M3据说速度更快，LPC1700可达120M另外，片内HSI振荡器进入PLL之前不要分频就好了！或者PLL倍数再增大一些...; seawave2000 stm32/stm8

解读高速数模转换器(DAC)的建立和保持时间: 为了达到高速数/模转换器(DAC)的最佳性能，需要严格满足数字信号的时序要求。随着时钟频率的提高，数字接口的建立和保持时间成为系统设计人员需要重点关注的参数。本应用笔记对建立和保持时间进行详尽说明，因为这些参数与Maxim的高性能数据转换方案密切相关。建立时间(tS)是相对于DAC时钟跳变，数据必须达到有效的逻辑电平的时间。保持时间(tH)则定义了器件捕获/采样数据后允许数据发生变化的时间。图1...; sairvee 模拟电子

现代功率模块及器件应用技术: 最近20年来，功率器件及其封装技术的迅猛发展，导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的应用范围、量体裁衣的解决方案、集成化、智能化、更小的体积和重量、效率更高的芯片、更加优质价廉、更长的寿命和更短的产品开发周期。在过去的数年中已有众多的研发成果不断提供新的、经济安全的解决方案，从而将功率模块大量地引入到一系列的工业和消费领域中。因此，有必要就功率模块的应用技术，如选...; zbz0529 电源技术

IER 和 IFR 你知道如何去定义吗？: IER和IFR在并没有定义地址，因为它是CPU是CPU寄存器，只有存储器才会有明确的地址。只需如此在头文件中如此定义：extern cregister volatile unsigned int IFR;extern cregister volatile unsigned int IER在使用时要注意IER 可采用直接付值的方式，而IFR为只读如果要改变值只可用= 和｜＝...; 安_然 DSP 与 ARM 处理器

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多