Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PZT5551L-B-AA3-R

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PZT5551L-B-AA3-R: 产品描述Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小194KB，共4页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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PZT5551L-B-AA3-R概述

Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4

PZT5551L-B-AA3-R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	0.6 A
集电极-发射极最大电压	160 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	150
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

PZT5551

HIGH VOLTAGE SWITCHING

TRANSISTOR

FEATURES

* High Collector-Emitter Voltage:

CEO

=160V

* High current gain

NPN SILICON TRANSISTOR

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Halogen Free

PZT5551L-x-AA3-R

PZT5551G-x-AA3-R

Package

SOT-223

Pin Assignment

Packing

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1of 4

QW-R207-007,E

PZT5551L-B-AA3-R相似产品对比

	PZT5551L-B-AA3-R	PZT5551L-A-AA3-R	PZT5551G-B-AA3-R	PZT5551G-A-AA3-R	PZT5551G-C-AA3-R	PZT5551L-C-AA3-R
描述	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4	Power Bipolar Transistor	Power Bipolar Transistor	Power Bipolar Transistor	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A
集电极-发射极最大电压	160 V	160 V	160 V	160 V	160 V	160 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	150	80	150	80	200	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Is Samacsys	N	N	N	N	N	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-

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