PZTA55-T概述

TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

PZTA55-T规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz
VCEsat-Max	0.25 V
Base Number Matches	1

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PZTA55-T相似产品对比

	PZTA55-T	PMST2907	PMST2907-T	BSR18A-T
描述	TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	TRANSISTOR 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	100mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.6 A	0.6 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	60 V	40 V	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50	30	30	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-
最大关闭时间（toff）	-	110 ns	110 ns	300 ns
最大开启时间（吨）	-	50 ns	50 ns	65 ns

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