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MV1650

产品描述DIODE 100 pF, 20 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA, DO-7, 2 PIN, Variable Capacitance Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共2页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MV1650概述

DIODE 100 pF, 20 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA, DO-7, 2 PIN, Variable Capacitance Diode

MV1650规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压20 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2
标称二极管电容100 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-204AA
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)225
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MV1626/D
Silicon Tuning Diodes
These epitaxial passivated tuning diodes are designed for AFC applications in
radio, TV, and general electronic–tuning.
Maximum Working Voltage of 20 V
Excellent Q Factor at High Frequencies
Solid–State Reliability to Replace Mechanical Tuning Methods
MV1626 thru
MV1650
6.8 – 100 pF
20 VOLTS
VOLTAGE–VARIABLE
CAPACITANCE DIODES
2
Anode
1
Cathode
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Reverse Voltage
Forward Current
Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
VR
IF
PD
TJ
Tstg
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
(IR = 10
µAdc)
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 15 Vdc, TA = 25°C)
Series Inductance
(f = 250 MHz, Lead Length
1/16″)
Case Capacitance
(f = 1.0 MHz, Lead Length
1/16″)
CT, Diode Capacitance
VR = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz
pF
Device
MV1626
MV1628
MV1630
MV1634
MV1638
MV1648
MV1650
Min
10.8
13.5
16.2
19.8
29.7
73.8
90.0
Nom
12.0
15.0
18.0
22.0
33.0
82.0
100.0
Max
13.2
16.5
19.8
24.2
36.3
90.2
110.0
Value
20
250
400
2.67
+175
– 65 to + 200
Unit
Vdc
mAdc
mW
mW/°C
°C
°C
1
CASE 51–02
DO–204AA (DO–7)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
V(BR)R
IR
LS
CC
Min
20
Typ
4.0
0.17
Max
0.10
Unit
Vdc
µAdc
nH
pF
Q, Figure of Merit
VR = 4.0 Vdc,
f = 50 MHz
Typ
300
250
250
250
200
150
150
TR, Tuning Ratio
C2/C20
f = 1.0 MHz
Min
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
Max
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
©
Motorola, Inc. 1997
1

MV1650相似产品对比

MV1650 MV1628 MV1638 MV1648 MV1630
描述 DIODE 100 pF, 20 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA, DO-7, 2 PIN, Variable Capacitance Diode 15pF, 20V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA, DO-7, 2 PIN 33pF, 20V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA, DO-7, 2 PIN DIODE 82 pF, 20 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA, DO-7, 2 PIN, Variable Capacitance Diode 18pF, 20V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA, DO-7, 2 PIN
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 DO-7, 2 PIN
针数 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管电容容差 10% 10% 10% 10% 10%
最小二极管电容比 2 2 2 2 2
标称二极管电容 100 pF 15 pF 33 pF 82 pF 18 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码 DO-204AA DO-204AA DO-204AA DO-204AA DO-204AA
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 - 225
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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