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HN62331P-12

产品描述MASK ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小81KB,共3页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HN62331P-12概述

MASK ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

HN62331P-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.6 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.7 mm
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

HN62331P-12相似产品对比

HN62331P-12 HN62331F-12 HN62321BP-20 HN62321F-15 HN62321BF-20 HN62321P-15
描述 MASK ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 MASK ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28 MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 MASK ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28 MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28 MASK ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIP SOIC DIP SOIC SOIC DIP
包装说明 DIP, DIP28,.6 SOP, SOP28,.5 DIP, DIP28,.6 SOP, SOP28,.5 SOP, SOP28,.5 DIP, DIP28,.6
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 120 ns 200 ns 150 ns 200 ns 150 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 35.6 mm 18.3 mm 35.6 mm 18.3 mm 18.3 mm 35.6 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP DIP SOP SOP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 SOP28,.5 DIP28,.6 SOP28,.5 SOP28,.5 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.7 mm 2.5 mm 5.7 mm 2.5 mm 2.5 mm 5.7 mm
最大待机电流 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 8.4 mm 15.24 mm 8.4 mm 8.4 mm 15.24 mm
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