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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MPS8550S-B
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MPS8550S-B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小390KB，共2页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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MPS8550S-B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MPS8550S-B规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)85
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
Complementary to MPS8050S.
L
MPS8550S
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
E
B
L
2
3
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
RATING
-40
-25
-6
-1.5
350
150
-55 150
0.6
)
UNIT
V
1
P
P
N
C
V
V
A
mW
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
A
G
H
M
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
* P
C
: Package Mounted On 99.5% Alumina (10 8
K
SOT-23
Marking
h
FE
Rank
Lot No.
Type Name
BJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
h
FE
(1)
DC Current Gain
h
FE
(2) (Note)
h
FE
(3)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Note : h
FE
(2) Classification
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
f
T
C
ob
TEST CONDITION
V
CB
=-35V, I
E
=0
V
EB
=-6V, I
C
=0
I
C
=-100 A, I
E
=0
I
C
=-2mA, I
B
=0
V
CE
=-1V, I
C
=-5mA
V
CE
=-1V, I
C
=-100mA
V
CE
=-1V, I
C
=-800mA
I
C
=-800mA, I
B
=-80mA
I
C
=-800mA, I
B
=-80mA
V
CE
=-1V, I
C
=-10mA
V
CE
=-10V, I
C
=-50mA
V
CB
=-10V, f=1MHz, I
E
=0
300
MIN.
-
-
-40
-25
45
85
40
-
-
-
100
-
TYP.
-
-
-
-
170
160
80
-0.28
-0.98
-0.66
200
15
MAX.
-100
-100
-
-
-
300
-
-0.5
-1.2
-1.0
-
-
V
V
V
MHz
pF
UNIT
nA
nA
V
V
B:85 160 , C : 120 200 , D : 160
2003. 3. 25
Revision No : 1
J
D
1/2

MPS8550S-B相似产品对比

MPS8550S-B MPS8550S-C MPS8550S-D
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 KEC KEC KEC
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 85 120 160
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1 1
Is Samacsys N - N

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