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MPSA55DWP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.026 X 0.026 INCH, G11, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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MPSA55DWP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.026 X 0.026 INCH, G11, DIE-2

MPSA55DWP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1
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