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MRF151G

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.850 X 0.385 INCH, LFG, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF151G概述

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.850 X 0.385 INCH, LFG, 4 PIN

MRF151G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接SOURCE
配置COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压125 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏极电流 (ID)40 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量2
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)500 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MRF151G
RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF151G
is a Dual
Common Source N-Channel
Enhancement-Mode MOSFET
RF Power Transistor, Designed for
175 MHz, 300 W Transmitter and
Amplifier Applications.
PACKAGE STYLE .385X.850 4LFG
MAXIMUM RATINGS
I
D
V
DSS
V
GS
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
40 A
125 V
±40
V
500 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65 C to +150 C
0.35 C/W
O
O
O
O
1 & 2 = DRAIN
3 & 4 = GATE
5 = SOURCE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
V
DS(on)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
G
ps
η
ψ
V
DS
= 50 V
V
DS
= 0 V
T
C
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
I
D
= 100 mA
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 500 mA
f = 1.0 MHz
P
out
= 300 W
MINIMUM
125
TYPICAL
MAXIMUM
5.0
1.0
UNITS
V
mA
µ
A
V
V
mhos
I
D
= 100 mA
I
D
= 10 A
I
D
= 5.0 A
V
DS
= 50 V
V
DD
= 50 V
f = 175 MHz
1.0
5.0
350
250
15
14
50
16
55
5.0
5
pF
dB
%
V
SWR
= 5:1
AT ALL PHASE ANGLES
NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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