SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MRF151G/D
The RF MOSFET Line
RF Power Field-Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode MOSFET
Designed for broadband commercial and military applications at frequencies
to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this
device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel
frequency bands.
•
Guaranteed Performance at 175 MHz, 50 V:
Output Power — 300 W
Gain — 14 dB (16 dB Typ)
Efficiency — 50%
•
Low Thermal Resistance — 0.35°C/W
•
Ruggedness Tested at Rated Output Power
•
Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability
MRF151G
300 W, 50 V, 175 MHz
N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFET
D
G
G
S
(FLANGE)
CASE 375–04, STYLE 2
D
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain–Source Voltage
Drain–Gate Voltage
Gate–Source Voltage
Drain Current — Continuous
Total Device Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Symbol
V
DSS
V
DGO
V
GS
I
D
P
D
T
stg
T
J
Value
125
125
±
40
40
500
2.85
– 65 to +150
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/°C
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θJC
Max
0.35
Unit
°C/W
NOTE —
CAUTION
— MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
REV 9
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS (Each Side)
Drain–Source Breakdown Voltage (V
GS
= 0, I
D
= 100 mA)
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS
= 50 V, V
GS
= 0)
Gate–Body Leakage Current (V
GS
= 20 V, V
DS
= 0)
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
125
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
Vdc
mAdc
µAdc
ON CHARACTERISTICS (Each Side)
Gate Threshold Voltage (V
DS
= 10 V, I
D
= 100 mA)
Drain–Source On–Voltage (V
GS
= 10 V, I
D
= 10 A)
Forward Transconductance (V
DS
= 10 V, I
D
= 5.0 A)
V
GS(th)
V
DS(on)
g
fs
1.0
1.0
5.0
3.0
3.0
7.0
5.0
5.0
—
Vdc
Vdc
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Each Side)
Input Capacitance (V
DS
= 50 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance (V
DS
= 50 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance (V
DS
= 50 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
iss
C
oss
C
rss
—
—
—
350
220
15
—
—
—
pF
pF
pF
FUNCTIONAL TESTS
Common Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 50 V, P
out
= 300 W, I
DQ
= 500 mA, f = 175 MHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 50 V, P
out
= 300 W, f = 175 MHz, I
D
(Max) = 11 A)
Load Mismatch
(V
DD
= 50 V, P
out
= 300 W, I
DQ
= 500 mA,
VSWR 5:1 at all Phase Angles)
R1
+
BIAS 0 – 6 V
–
L1
R2
C1
INPUT
D.U.T.
T2
C12
T1
OUTPUT
C4
C5
C9
C10
C11
G
ps
η
ψ
No Degradation in Output Power
14
50
16
55
—
—
dB
%
L2
+
50 V
–
C6
C2
C3
C7
C8
R1 — 100 Ohms, 1/2 W
R2 — 1.0 kOhm, 1/2 W
C1 — Arco 424
C2 — Arco 404
C3, C4, C7, C8, C9 — 1000 pF Chip
C5, C10 — 0.1
µF
Chip
C6 — 330 pF Chip
C11 — 0.47
µF
Ceramic Chip, Kemet 1215 or
C11 —
Equivalent (100 V)
C12 — Arco 422
L1 — 10 Turns AWG #18 Enameled Wire,
L1 —
Close Wound, 1/4″ I.D.
L2 — Ferrite Beads of Suitable Material for
L2 —
1.5 – 2.0
µH
Total Inductance
Unless Otherwise Noted, All Chip Capacitors are ATC Type 100 or
Equivalent.
T1 — 9:1 RF Transformer. Can be made of 15 – 18 Ohms
T1 —
Semirigid Co–Ax, 62 – 90 Mils O.D.
T2 — 1:4 RF Transformer. Can be made of 16 – 18 Ohms
T2 —
Semirigid Co–Ax, 70–90 Mils O.D.
Board Material — 0.062″ Fiberglass (G10),
1 oz. Copper Clad, 2 Sides,
ε
r
= 5.0
NOTE: For stability, the input transformer T1 must be loaded
NOTE:
with ferrite toroids or beads to increase the common
NOTE:
mode inductance. For operation below 100 MHz. The
NOTE:
same is required for the output transformer.
See Figure 6 for construction details of T1 and T2.
Figure 1. 175 MHz Test Circuit
REV 9
2
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á
NOTE:
S–Parameter data represents measurements taken from one chip only.
f
MHz
420
410
400
390
380
370
360
350
340
330
320
310
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
140
130
120
100
110
90
80
70
60
50
40
30
0.977
0.976
0.976
0.977
0.976
0.976
0.977
0.975
0.976
0.975
0.974
0.976
0.975
0.974
0.974
0.972
0.973
0.972
0.970
0.971
0.969
0.967
0.967
0.964
0.962
0.960
0.957
0.954
0.950
0.946
0.942
0.936
0.932
0.925
0.918
0.912
0.902
0.895
0.886
0.877
|S
11
|
S
11
5
REV 9
Table 1. Common Source S–Parameters (V
DS
= 50 V, I
D
= 2 A)
–180
–180
–179
–179
–178
–178
–177
–177
–177
–176
–176
–175
–175
–174
172
172
172
173
173
173
174
174
174
174
175
175
176
176
176
176
177
177
177
178
178
178
179
179
179
180
φ
10.10
|S
21
|
0.21
0.22
0.23
0.24
0.26
0.26
0.28
0.29
0.30
0.31
0.33
0.36
0.39
0.40
0.41
0.45
0.47
0.51
0.57
0.60
0.67
0.71
0.75
0.84
0.90
1.01
1.13
1.23
1.39
1.55
1.77
2.06
2.34
2.69
3.19
3.86
4.73
5.76
7.47
S
21
10
10
10
12
12
12
14
16
18
19
20
22
24
27
30
32
35
37
40
45
48
52
58
63
69
77
11
9
9
7
7
8
8
7
4
7
9
6
9
9
φ
0.071
0.071
0.068
0.066
0.065
0.061
0.059
0.058
0.056
0.056
0.053
0.049
0.048
0.046
0.046
0.044
0.041
0.039
0.037
0.038
0.035
0.032
0.030
0.028
0.026
0.024
0.023
0.021
0.019
0.017
0.015
0.014
0.013
0.010
0.009
0.009
0.008
0.009
0.008
0.011
|S
12
|
S
12
76
77
80
76
75
76
79
80
77
78
78
82
82
79
80
80
79
80
80
81
82
80
79
80
82
82
79
78
77
77
76
72
67
62
54
46
39
33
24
19
φ
0.962
0.999
0.955
0.960
0.944
0.981
0.978
0.950
0.948
0.935
0.954
0.943
0.929
0.944
0.965
0.953
0.954
0.935
0.950
0.950
0.949
0.937
0.922
0.929
0.931
0.904
0.909
0.884
0.874
0.875
0.865
0.850
0.808
0.802
0.784
0.764
0.756
0.715
0.707
0.911
|S
22
|
S
22
–180
–179
–178
–176
–177
–176
–175
–174
–172
–173
–175
–173
–171
–171
–172
–171
–171
–172
–169
168
170
173
171
171
170
172
174
172
172
173
176
176
175
175
176
178
179
179
179
180
φ
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
