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MMDT3904V-TP-HF

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小249KB,共5页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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MMDT3904V-TP-HF概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN,

MMDT3904V-TP-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns
Base Number Matches1

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMDT3904V
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epitaxial Die Construction
Ideal for Low Power Amplification and Switching
Ultra-small Surface Mount Package
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
NPN
Plastic-Encapsulate
Transistors
SOT-563
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
R
©
JA
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
40
60
6
0.2
0.2
625
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
/W
Marking:KAP
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CEX
I
BL
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=10uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=60Vdc,V
EB(OFF)
=3Vdc)
Base Cutoff Current
(V
CE
=60Vdc,V
EB(OFF)
=3Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=0.1mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=1mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=50mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=10mAdc, I
B
=1mAdc)
(I
C
=50mAdc, I
B
=5mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=10mAdc, I
B
=1mAdc)
(I
C
=50mAdc, I
B
=5mAdc)
Min
40
60
6
---
---
40
70
100
60
30
---
---
0.65
---
Typ
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
Max
---
---
---
50
50
---
---
300
---
---
0.2
0.3
0.85
0.95
Units
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
DIM
A
B
C
D
G
H
K
L
M
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.006
.011
.043
.049
.061
.067
.020
.035
.043
.059
.067
.022
.023
.004
.011
.004
.007
MM
MIN
0.15
1.10
1.55
0.50
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
MAX
0.30
1.25
1.70
NOTE
---
V
CE(sat)
Vdc
V
BE(sat)
Vdc
Revision:
B
www.mccsemi.com
1
of
5
2013/01/01

MMDT3904V-TP-HF相似产品对比

MMDT3904V-TP-HF
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN,
是否Rohs认证 符合
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Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
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最大集电极电流 (IC) 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 30
JESD-30 代码 R-PDSO-F6
湿度敏感等级 1
元件数量 2
端子数量 6
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10
晶体管应用 SWITCHING
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标称过渡频率 (fT) 300 MHz
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