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MMDT3904V

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小744KB,共5页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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MMDT3904V概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

MMDT3904V规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns
Base Number Matches1

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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$ %    !"#
MMDT3904V
Features
Epitaxial Die Construction
Ideal for Low Power Amplification and Switching
Ultra-small Surface Mount Package
Case Material: Molded Plastic.
Classification Rating 94V-0
UL Flammability
NPN
Plastic-Encapsulate
Transistors
Unit
V
V
V
A
W
℃/W
Max
---
---
---
50
50
---
---
300
---
---
0.2
0.3
0.85
0.95
Units
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
INCHES
DIM
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MIN
.006
.043
.061
.020
.035
.059
.022
.004
.004
.043
.067
.023
.011
.007
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
DIMENSIONS
MM
MAX
.011
.049
.067
MIN
0.15
1.10
1.55
0.50
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
MAX
0.30
1.25
1.70
NOTE
Marking:KAP
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
R
θ
JA
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
40
60
6
0.2
0.2
625
-55 to +150
-55 to +150
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
SOT-563
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CEX
I
BL
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=10uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=60Vdc,V
EB(OFF)
=3Vdc)
Base Cutoff Current
(V
CE
=60Vdc,V
EB(OFF)
=3Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=0.1mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=1mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=50mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=10mAdc, I
B
=1mAdc)
(I
C
=50mAdc, I
B
=5mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=10mAdc, I
B
=1mAdc)
(I
C
=50mAdc, I
B
=5mAdc)
Min
40
60
5
---
---
40
70
100
60
30
---
---
0.65
---
Typ
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
CE(sat)
Vdc
V
BE(sat)
Vdc
Revision: 2
www.mccsemi.com
1 of 5
2006/05/19

MMDT3904V相似产品对比

MMDT3904V MMDT3904V-T
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC)
Reach Compliance Code compliant unknown
Is Samacsys N N
JESD-609代码 e0 e0
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1
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