TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, METAL CERAMIC, SOT-443A, 3 PIN, BIP RF Power
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT443A |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS |
| 外壳连接 | BASE |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 20 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 7 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| MZ0912B50Y | PTN2010K2641BST5 | 933994040114 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, METAL CERAMIC, SOT-443A, 3 PIN, BIP RF Power | Fixed Resistor, Thin Film, 0.8W, 2640ohm, 200V, 0.1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP | TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, METAL CERAMIC PACKAGE-2, BIP RF Power |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | CHIP | METAL CERAMIC PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS | ANTI-SULFUR; LASER TRIMMABLE; NON-INDUCTIVE | DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | SMT | FLANGE MOUNT |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | - | NXP(恩智浦) |
| 针数 | 3 | - | 2 |
| 外壳连接 | BASE | - | BASE |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A | - | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 20 V | - | 20 V |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND | - | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 | - | R-CDFM-F2 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 155 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | - | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 端子形式 | FLAT | - | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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