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MMPQ3467G

产品描述1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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MMPQ3467G概述

1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16

MMPQ3467G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOIC
包装说明CASE 751B-05, SOP-16
针数16
制造商包装代码CASE 751B-05
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G16
元件数量4
端子数量16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)190 MHz
Base Number Matches1

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MMPQ3467
Quad Memory Driver
Transistor
PNP Silicon
Rating
Collector
−Emitter
Voltage
Collector
−Base
Voltage
Emitter
−Base
Voltage
Collector Current —
Continuous
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
Value
−40
−40
−5.0
−1.0
Four
Transistors
Equal
Power
W
0.52
4.2
1.0
8.0
1.2
9.6
2.5
20
mW/°C
W
mW/°C
°C
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
16
1
http://onsemi.com
Each
Transistor
Power Dissipation
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Power Dissipation
@ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage
Junction Temperature
Range
P
D
CASE 751B−05, STYLE 4
SO−16
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
P
D
T
J
, T
stg
−55
to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector
−Emitter
Breakdown Voltage
(1)
(I
C
=
−10
mAdc, I
B
= 0)
Collector
−Base
Breakdown Voltage
(I
C
=
−10
mAdc,
I
E
= 0)
Emitter
−Base
Breakdown Voltage
(I
E
=
−10
mAdc,
I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=
−30
Vdc, I
E
= 0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=
−3.0
Vdc, I
C
= 0)
1. Pulse Test: Pulse Width
v
300
ms;
Duty Cycle
v
2.0%.
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
−40
−40
−5.0
−200
−200
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
August, 2006
Rev. 4
1
Publication Order Number:
MMPQ3467/D

MMPQ3467G相似产品对比

MMPQ3467G MMPQ3467R2 MMPQ3467R1
描述 1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16 1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16 1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC
包装说明 CASE 751B-05, SOP-16 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16
针数 16 16 16
制造商包装代码 CASE 751B-05 CASE 751B-05 CASE 751B-05
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16
元件数量 4 4 4
端子数量 16 16 16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 190 MHz 190 MHz 190 MHz
Base Number Matches 1 1 1
JESD-609代码 - e0 e0
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD
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