Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 配置 | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10000 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 125 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| MPSA29 | 2N2925 | 2N5232A | 2N6426 | MPSA28 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknow | unknow | unknow | compliant |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | - | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.2 A | 0.1 A | 0.5 A | - |
| 配置 | DARLINGTON | SINGLE | SINGLE | DARLINGTON | - |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10000 | 235 | 250 | 20000 | - |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | - |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | - |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| 标称过渡频率 (fT) | 125 MHz | 160 MHz | 300 MHz | 250 MHz | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 基于收集器的最大容量 | - | 10 pF | 4 pF | 7 pF | - |
| 集电极-发射极最大电压 | - | 25 V | 50 V | 40 V | - |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 0.8 W | 0.62 W | 0.625 W | - |
| 晶体管应用 | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - |
| VCEsat-Max | - | 0.3 V | 0.125 V | 1.5 V | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
