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HY5PS12421AFP-C4

产品描述DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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文件大小2MB,共37页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY5PS12421AFP-C4概述

DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

HY5PS12421AFP-C4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)266 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度14 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织128MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度12 mm
Base Number Matches1

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512Mb A-ver. DDR2 SDRAM
512Mb DDR2 SDRAM
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