RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, DIE-5
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Qorvo |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 |
| 针数 | 5 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 5A991.G |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 8 V |
| FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带 | X BAND |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N5 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.5 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 11 dB |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches | 1 |
| FPD7612-000S3 | FPD7612-000 | FPD7612-000SQ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, DIE-5 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, DIE-5 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, DIE-5 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Qorvo | Qorvo | Qorvo |
| 零件包装代码 | DIE | DIE | DIE |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 |
| 针数 | 5 | 5 | 5 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 5A991.G | 5A991.G | 5A991.G |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 8 V | 8 V | 8 V |
| FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY | HIGH ELECTRON MOBILITY | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带 | X BAND | X BAND | X BAND |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N5 | R-XUUC-N5 | R-XUUC-N5 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 5 | 5 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.5 W | 0.5 W | 0.5 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 11 dB | 11 dB | 11 dB |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| Is Samacsys | N | N | - |
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