1N4148WS, 1N4448WS
1N4148WS, 1N4448WS
SMD Small Signal Switching Diodes
SMD Kleinsignal-Schaltdioden
Version 2017-01-26
SOD-323F
1.7
±0.1
1
±0.1
I
FAV
= 150 mA
V
F1
< 0.855 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 100 V
I
FSM1
= 1 A
t
rr
< 4 ns
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade
1
)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
3000 / 7“
0.005 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung
1
)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
0.3
±0.1
RoHS
1.25
Type
Code
2.5
±0.2
Dimensions - Maße [mm]
Type Code
1N4148WS = W2 or A
1N4448WS = W2
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
MiniMELF
Q-MiniMELF
Q-MicroMELF
SOD-123F
EL
V
Pb
±0.1
EE
WE
=
=
=
=
=
1N4148
LL4148
LS4148
MCL4148
1N4148W
1N4448
LL4448
LS4448
MCL4448
1N4448W
Maximum ratings
1
)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Reverse voltage
Sperrspannung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
DC
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
V
R
V
RRM
T
j
T
S
Grenzwerte
2
)
200 mW
2
)
150 mA
3
)
300 mA
3
)
350 mA
1A
75 V
100 V
-55...+150°C
-55…+150°C
1
1
2
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Lötpad je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
1N4148WS, 1N4448WS
Characteristics
1N4148WS
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1 mA
5 mA
I
F
= 10 mA
50 mA
150 mA
V
R
=
V
R
=
20 V
75 V
20 V
75 V
< 0.715 V
–
< 0.855 V
< 1.0 V
< 1.25 V
< 25 nA
< 1 µA
< 30 µA
< 50 µA
Kennwerte
1N4448WS
–
0.62...0.72 V
< 0.855 V
< 1.0 V
< 1.25 V
< 25 nA
< 100 nA
< 30 µA
< 50 µA
T
j
= 25°C
V
F
Leakage current
Sperrstrom
Leakage current
Sperrstrom
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time – Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
120
[%]
100
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
thA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
typ. 2 pF
< 4 ns
1
)
< 620 K/W
2
)
1
[A]
10
-1
80
T
j
= 125°C
60
10
-2
40
10
-3
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
2
T
j
= 25°C
I
F
10
-4
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
2
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
[µA]
10
T
j
= 150°C
1
T
j
= 100°C
10
-1
I
R
T
j
= 25°C
10
-2
0
V
R
25
50
75 [V]
Reverse characteristics (typical values)
Sperrkennlinien (typische Werte)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
2
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Lötpad je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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