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2N6385

产品描述10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小536KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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2N6385概述

10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66

2N6385规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-204AA
针数2
Reach Compliance Code_compli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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