MD16R1624EG0-CT9,MD16R1624EG0-CT9 pdf中文资料,MD16R1624EG0-CT9引脚图,MD16R1624EG0-CT9电路-Datasheet-电子工程世界

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MD16R1624EG0-CT9: 产品描述Rambus DRAM Module, 32MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232; 产品类别存储存储; 文件大小254KB，共16页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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MD16R1624EG0-CT9概述

Rambus DRAM Module, 32MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232

MD16R1624EG0-CT9规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM232,40
针数	232
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	32 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N232
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	232
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	32MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM232,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	16384
自我刷新	YES
最大待机电流	1.388 A
最大压摆率	1.72 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

MD16R1624EG0-CT9相似产品对比

	MD16R1624EG0-CT9	MD16R162GEG0-CT9	MD16R1624EG0-CM8	MD16R1628EG0-CM8	MD16R1628EG0-CN1	MD16R1628EG0-CT9	MD16R162GEG0-CM8	MD16R162GEG0-CN1	MD16R1624EG0-CN1
描述	Rambus DRAM Module, 32MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 128MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 32MX32, 40ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 64MX32, 40ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 64MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 64MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 128MX32, 40ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 128MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 32MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40
针数	232	232	232	232	232	232	232	232	232
Reach Compliance Code	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	32 ns	32 ns	40 ns	40 ns	32 ns	32 ns	40 ns	32 ns	32 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232
内存密度	1073741824 bit	4294967296 bit	1073741824 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	232	232	232	232	232	232	232	232	232
字数	33554432 words	134217728 words	33554432 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	134217728 words	134217728 words	33554432 words
字数代码	32000000	128000000	32000000	64000000	64000000	64000000	128000000	128000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	32MX32	128MX32	32MX32	64MX32	64MX32	64MX32	128MX32	128MX32	32MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	16384	16384	16384	16384	16384	16384	16384	16384	16384
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	1.388 A	1.436 A	1.1 A	1.114 A	1.574 A	1.404 A	1.146 A	1.606 A	1.558 A
最大压摆率	1.72 mA	3.64 mA	1.39 mA	1.93 mA	2.58 mA	2.36 mA	3.01 mA	3.94 mA	1.9 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

MD16R1624EG0-CT9

MD16R1624EG0-CT9概述

MD16R1624EG0-CT9规格参数

MD16R1624EG0-CT9相似产品对比

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