8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
8M × 16 同步动态随机存取存储器, 5.4 ns, PDSO54
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 54 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.6 V |
最小供电/工作电压 | 3 V |
额定供电电压 | 3.3 V |
最小存取时间 | 5.4 ns |
加工封装描述 | 0.400 INCH, 塑料, TSOP2-54 |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.8000 mm |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 16 |
组织 | 8M × 16 |
存储密度 | 1.34E8 deg |
操作模式 | 同步 |
位数 | 8.39E6 words |
位数 | 8M |
存取方式 | 四 BANK PAGE BURST |
内存IC类型 | 同步动态随机存取存储器 |
端口数 | 1 |
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