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HN1C03FUBTE85N

产品描述TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小306KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1C03FUBTE85N概述

TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

HN1C03FUBTE85N规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.3 A
基于收集器的最大容量7 pF
集电极-发射极最大电压20 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)350
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
VCEsat-Max0.1 V
Base Number Matches1
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