HN1C01F-GR,HN1C01F-GR pdf中文资料,HN1C01F-GR引脚图,HN1C01F-GR电路-Datasheet-电子工程世界

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HN1C01F-GR: 产品描述TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小225KB，共4页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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HN1C01F-GR概述

TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

HN1C01F-GR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	0.15 A
基于收集器的最大容量	3.5 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	0.3 W
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	80 MHz
VCEsat-Max	0.25 V
Base Number Matches	1

HN1C01F-GR相似产品对比

	HN1C01F-GR	HN1C01FYTE85LF	HN1C01F-GR(TE85L,F	HN1C01F-GR(TE85L,F)	HN1C01F-GR(5LMBS,F	HN1C01F-Y	HN1C01F-Y(TE85LF)	HN1C01F-Y(5LMAA1,F	HN1C01F-Y(T5LMAA,F	HN1C01F(TE85L,F)
描述	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6	TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6	Small Signal Bipolar Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	Small Signal Bipolar Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称	Toshiba(东芝)	-	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	-	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	unknown	-	-	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
Is Samacsys	N	-	-	N	N	N	N	N	N	-
最大集电极电流 (IC)	0.15 A	-	-	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A
基于收集器的最大容量	3.5 pF	-	-	3.5 pF	3.5 pF	3.5 pF	3.5 pF	3.5 pF	3.5 pF	3.5 pF
集电极-发射极最大电压	50 V	-	-	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	200	-	-	200	200	120	120	120	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	-	-	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	-	-	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	-	-	6	6	6	6	6	6	6
最高工作温度	125 °C	-	-	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	-	-	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	0.3 W	-	-	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	-	-	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
表面贴装	YES	-	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	-	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	-	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	-	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	80 MHz	-	-	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz
VCEsat-Max	0.25 V	-	-	0.25 V	0.25 V	0.25 V	0.25 V	0.25 V	0.25 V	0.25 V
Base Number Matches	1	-	-	1	1	1	1	1	1	1

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