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HN1A01FYTE85N

产品描述TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1A01FYTE85N概述

TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

HN1A01FYTE85N规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.15 A
基于收集器的最大容量7 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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HN1A01F
TOSHIBA Transistor Silicon PNP
Epitaxial
Type (PCT Process)
HN1A01F
Audio-Frequency General-Purpose Amplifier
Applications
Small package (dual type)
High voltage and high current
: V
CEO
=
−50
V, I
C
=
−150
mA (max)
High h
FE
: h
FE
= 120~400
Excellent h
FE
linearity
: h
FE
(I
C
=
−0.1
mA) / h
FE
(I
C
=
−2
mA) = 0.95 (typ.)
Unit: mm
(Q1, Q2 Common)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−150
−30
300
125
−55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-3N1A
Weight: 0.015 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* Total rating
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE (note)
V
CE (sat)
f
T
C
ob
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
=
−50
V, I
E
= 0
V
EB
=
−5
V, I
C
= 0
V
CE
=
−6
V, I
C
=
−2
mA
I
C
=
−100
mA, I
B
=
−10
mA
V
CE
=
−10
V, I
C
=
−1
mA
V
CB
=
−10
V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Min
120
80
Typ.
−0.1
4
Max
−0.1
−0.1
400
−0.3
7
Unit
μA
μA
V
MHz
pF
Note: hFE Classification
Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400
( ) Marking Symbol
1
2007-11-01
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