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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> C1815
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C1815

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.00015A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小450KB，共2页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准  
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C1815概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.00015A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

C1815规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.00015 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)130
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）265
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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C1815
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS
TRANSISTOR(NPN)
FEATURES
* Power dissipation
P
CM
:
0.2
W (Tamb=25
O
C)
* Collector current
I
CM
:
0.15
mA
* Collector-base voltage
V
(BR)CBO
:
60
V
Operating and storage junction temperature range
*
T
J
,T
stg
: -55
O
C to +150
O
C
SOT-23
COLLECTOR
3
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
BASE
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.008 gram
1
EMITTER
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
Dimensions in inches and (millimeters)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( @ TA = 25
O
C unless otherwise noted )
CHARACTERISTICS
Collector-base breakdown voltage (I
C
= 100mA, I
E
=0)
Collector-emitter breakdown voltage (I
C
= 0.1mA, I
B
=0)
Collector cut-off current (V
CB
= 60V, I
E
=0)
Collector cut-off current (V
CB
= 50V, I
B
=0)
Emitter cut-off current (V
EB
= 5V, I
C
=0)
DC current gain (V
CE
= 6V, I
C
= 2mA)
Collector-emitter saturation voltage (I
C
= 100mA, I
B
= 10mA)
Base-emitter voltage (I
C
= 100mA, I
B
= 10mA)
Transition frequency (V
CE
= 10V, I
C
= 1mA, f= 30MH
Z
)
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
RANK
Range
DEVICE MARKING
Note : "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".
L
130 - 200
HF
2007-3
H
200 - 400
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
MIN
60
50
-
-
-
130
-
-
80
TYP
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MAX
-
-
0.1
0.1
0.1
400
0.25
1
-
UNITS
V
V
mA
mA
mA
-
V
V
MHz

C1815相似产品对比

C1815 C1815H
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.00015A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.00015A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.00015 A 0.00015 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 130 200
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 265 265
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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