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1N4448-F

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共5页
制造商Rectron
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1N4448-F概述

Rectifier Diode,

1N4448-F规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
二极管类型RECTIFIER DIODE
Base Number Matches1

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1N4448
SILICON PLANAR ZENER DIODE
FEATURES
* Fast Switching Device(T
RR
<4.0nS)
* DO-35 Package (JEDEC)
* Through-Hole Device Type Mounting
* Hermetically Sealed Glass
* Compression Bonded Construction
* All external surfaces are corrosion resistant and leads
are readily solderable
.022 (0.56)
DIA.
.018 (0.46)
1.02 (26.0)
MIN.
DO-35
.165 (4.2)
MAX.
.079 (2.0)
MAX.
1.02 (26.0)
MIN.
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
o
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGES
( @ T
A
= 25
o
C unless otherwise noted )
RATINGS
Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Forward Continuous Current
Maximum Average Forward Rectified Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
SYMBOL
Vrm
VDc
1N4448
100
70
100
150
1
UNITS
Volts
Volts
I
FM
I
O
I
FSM
IT
T rr
C
T
P
D
T
J
,T
STG
O
mAmps
mAmps
Amps
2
AS
Typical Current Squared Time
Typical Reverse Recovery Time(I
F
=I
R
=30mA,I rr =0.1X
IR
,R
L
=100 )
Typical Junction Capacitance(V
R
=0V,f=1MHz)
Maximum Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(@T
A
=25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@I F =5mA
@I F =100mA
@V
R
=20V
@V
R
=75V
2
0.004
4
4
500
-65 to + 200
nS
pF
mW
O
C
SYMBOL
V
F
I
R
1N4448
0.72
1.0
25
5
UNITS
Volts
nAmps
uAmps
Maximum Instantaneous Reverse Current
2012-9
REV:B
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