NSG2563,NSG2563 pdf中文资料,NSG2563引脚图,NSG2563电路-Datasheet-电子工程世界

NSG2563: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254Z, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小76KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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NSG2563概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254Z, 3 PIN

NSG2563规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	TO-254Z
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	25 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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