APT40M40LVFRG,APT40M40LVFRG pdf中文资料,APT40M40LVFRG引脚图,APT40M40LVFRG电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> APT40M40LVFRG

APT40M40LVFRG: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小150KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

APT40M40LVFRG概述

Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN

APT40M40LVFRG规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	TO-264AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
其他特性	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	2500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	57 A
最大漏极电流 (ID)	57 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-264AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	228 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

APT40M40LVFRG相似产品对比

	APT40M40LVFRG	APT40M70B2VFR	APT40M70B2VFRG	APT40M70LVFR
描述	Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, T-MAX, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	2500 mJ	2500 mJ	2500 mJ	2500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V	400 V	400 V	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	57 A	57 A	57 A	57 A
最大漏极电流 (ID)	57 A	57 A	57 A	57 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω	0.07 Ω	0.07 Ω	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	520 W	520 W	520 W	520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	228 A	228 A	228 A	228 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1
Is Samacsys	N	N	N	-

推荐资源

【TI首届低功耗设计大赛】LCD调试完成: 经过一下午加一晚上的工作，LCD屏终于调试成功。原理图如下：遇到的问题：只有当CCS不处于调试模式时才能显示字符，编译器4.3.3，处于调试模式时不清楚怎么会不能显示呢。只有当关闭调试，或者复位了以后才能正常显示出来。还有待论坛的前辈们帮忙解答这个疑惑。:congratulate:其余的地方没什么太大问题，照着datasheet来，问题不大。这部分代码如下：下面附件为液晶屏的datasheet:)...; lonerzf 微控制器 MCU

ARM920T的CACHE问题: pc机上的cache是4路组相联，ARM920T是64路。路数越多访问越慢？ARM这样做有什么特别用途...; hailong201 ARM技术

newbit的PCB做好了: ...; dcexpert MicroPython开源版块

高能效手机充电器的电源设计: [i=s] 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:58 编辑 [/i]　随着媒体播放器、PDA、手机等便携式电子设备的使用量大幅增加，外部电源(EPS)或电池充电器开始占据住宅内的电源插座。EPS所消耗的电量在住宅总用电量中已占到了很大的比重。在能源消耗和电器效率倍受关注的今天，包括欧盟委员会行为准则(CoC)和美国能源之星在内的监管机构相继提高EPS或电池充电器...; 探路者移动便携

SDRAM延时参数设置: [align=left][font=宋体]持续学习特权老师的[/font]FPGA[font=宋体]控制[/font]SDRAM[font=宋体]的程序，我有一个问题，就是其中的延时参数怎么设置，具体的代码如下：[/font][/align][align=left]sdram_ctrl[/align][align=left]//SDRAM[font=宋体]时序延时参数[/font][/align]...; siyu Altera SoC

【我与TI的结缘】＋TI运放助力电子大赛: {:1_140:}上次和大家聊了一下[color=#000][font=微软雅黑][size=4]【[/size][/font][/color][color=rgb(0, 0, 0)][font=微软雅黑][size=4][color=#FF0000]我与TI的结缘[/color][/size][/font][/color][color=#000][font=微软雅黑][size=4]】的原因，就...; High哥 TI技术论坛

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多