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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JAN2N3507AU4
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JAN2N3507AU4

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB，共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N3507AU4在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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JAN2N3507AU4概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN

JAN2N3507AU4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）90 ns
最大开启时间（吨）45 ns
Base Number Matches1

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2N3506U4 thru 2N3507AU4
NPN MEDIUM POWER SILICON
TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/349
DESCRIPTION
This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. The
U4 package is hermetically sealed and provides a low profile for minimizing board height.
The 'A' version maintains it's forward current transfer ratio, h
FE
, at low temperature at higher
collector-emitter voltage. These devices also available in TO-5 and TO-39 packages.
Microsemi also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power
ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount
packages.
Available on
commercial
versions
Qualified Levels:
JAN, JANTX and
JANTXV
U4 Package
Important:
For the latest information, visit our website
http://www.microsemi.com.
FEATURES
•
•
•
•
•
JEDEC registered 2N3506U4 through 2N3507U4 series.
RoHS compliant versions available (commercial grade only).
Vce(sat) = 0.5 V @ Ic = 500 mA.
Rise time t
r
= 30 ns max @ I
C
= 1.5 A, I
B1
= 150 mA.
Fall time t
f
= 35 ns max @ I
C
= 1.5 A, I
B1
= I
B2
= 150 mA.
Also available in:
TO-39 package
(leaded)
2N3506 – 2N3507A
TO-5 package
APPLICATIONS / BENEFITS
•
•
General purpose transistors for medium power applications requiring high frequency switching and
low package profile.
Military and other high-reliability applications.
(long-leaded)
2N3506L – 2N3507AL
MAXIMUM RATINGS
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
@ T
A
= +25 °C
(2)
@ T
C
= +100 °C
(1)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
stg
2N3506U4
40
60
2N3507U4
50
80
Unit
V
V
V
A
W
°C
MSC – Lawrence
6 Lake Street,
Lawrence, MA 01841
Tel: 1-800-446-1158 or
(978) 620-2600
Fax: (978) 689-0803
MSC – Ireland
Gort Road Business Park,
Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044
Fax: +353 (0) 65 6822298
Website:
www.microsemi.com
5.0
3.0
1.0
5.0
-65 to +200
Operating & Storage Junction Temperature Range
Notes:
1. Derate linearly 5.71 mW/°C for T
A
> +25 °C.
2. Vce = 40 V.
LDS-0016-2, Rev. 1 (111616)
©2011 Microsemi Corporation
Page 1 of 6

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JAN2N3507AU4 JAN2N3506AU4 JANTXV2N3507AU4 JANTXV2N3506AU4 JANTX2N3507AU4 2N3507AU4E3 2N3506AU4E3 JANTX2N3506AU4
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN
针数 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant unknown compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 40 V 50 V 40 V 50 V 50 V 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 25 20 25 20 20 25 25
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e4 e4 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W 5 W 5 W 5 W 5 W 5 W 5 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Gold (Au) Gold (Au) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns
最大开启时间（吨） 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified - - Qualified
参考标准 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500 MIL-19500 - - MIL-19500
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 -

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