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APT5027BNR: 产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小174KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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APT5027BNR概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	APT5027BNR
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	TO-247AD
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
配置	Single
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	23 A
最大漏源导通电阻	0.27 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	310 W
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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