ISL9N304AS3STL99Z,ISL9N304AS3STL99Z pdf中文资料,ISL9N304AS3STL99Z引脚图,ISL9N304AS3STL99Z电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> ISL9N304AS3STL99Z

ISL9N304AS3STL99Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小196KB，共11页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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ISL9N304AS3STL99Z概述

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ISL9N304AS3STL99Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.0045 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

ISL9N304AS3STL99Z相似产品对比

	ISL9N304AS3STL99Z	ISL9N304AS3STL86Z	ISL9N304AS3STS62Z	ISL9N304AP3_NL
描述	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.0045 Ω	0.0045 Ω	0.0045 Ω	0.0045 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Is Samacsys	N	N	N	-
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	-
Base Number Matches	1	1	1	-

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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