PGA200BG放大器基础信息:
PGA200BG是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。
PGA200BG放大器核心信息:
PGA200BG的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.02 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,PGA200BG的标称压摆率有0.4 V/us。厂商给出的PGA200BG的最大压摆率为24 mA.其最大电压增益为1000,最小电压增益为1。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,PGA200BG增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.05 MHz。
PGA200BG的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。PGA200BG的输入失调电压为250 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
PGA200BG的相关尺寸:
PGA200BG拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。
PGA200BG放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。PGA200BG不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。PGA200BG的封装代码是:DIP。
PGA200BG封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。PGA200BG封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。
PGA200BG放大器基础信息:
PGA200BG是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。
PGA200BG放大器核心信息:
PGA200BG的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.02 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,PGA200BG的标称压摆率有0.4 V/us。厂商给出的PGA200BG的最大压摆率为24 mA.其最大电压增益为1000,最小电压增益为1。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,PGA200BG增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.05 MHz。
PGA200BG的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。PGA200BG的输入失调电压为250 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
PGA200BG的相关尺寸:
PGA200BG拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。
PGA200BG放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。PGA200BG不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。PGA200BG的封装代码是:DIP。
PGA200BG封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。PGA200BG封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Burr-Brown |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA |
标称带宽 (3dB) | 0.05 MHz |
最小共模抑制比 | 80 dB |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.02 µA |
最大输入失调电压 | 250 µV |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
最大非线性 | 0.012% |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
标称压摆率 | 0.4 V/us |
最大压摆率 | 24 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
最大电压增益 | 1000 |
最小电压增益 | 1 |
Base Number Matches | 1 |
PGA200BG | PGA200AG | PGA201AG | PGA201BG | |
---|---|---|---|---|
描述 | Instrumentation Amplifier, 1 Func, 250uV Offset-Max, 0.05MHz Band Width, BIPolar, CDIP14, | Instrumentation Amplifier, 1 Func, 450uV Offset-Max, 0.05MHz Band Width, BIPolar, CDIP14, | Instrumentation Amplifier, 1 Func, 450uV Offset-Max, 0.05MHz Band Width, BIPolar, CDIP14, | Instrumentation Amplifier, 1 Func, 250uV Offset-Max, 0.05MHz Band Width, BIPolar, CDIP14, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Burr-Brown | Burr-Brown | Burr-Brown | Burr-Brown |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA | 0.03 µA | 0.03 µA | 0.02 µA |
标称带宽 (3dB) | 0.05 MHz | 0.05 MHz | 0.05 MHz | 0.05 MHz |
最小共模抑制比 | 80 dB | 80 dB | 80 dB | 80 dB |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.02 µA | 0.03 µA | 0.03 µA | 0.02 µA |
最大输入失调电压 | 250 µV | 450 µV | 450 µV | 250 µV |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
最大非线性 | 0.012% | 0.025% | 0.025% | 0.012% |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 14 | 14 | 14 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
标称压摆率 | 0.4 V/us | 0.4 V/us | 0.4 V/us | 0.4 V/us |
最大压摆率 | 24 mA | 24 mA | 24 mA | 24 mA |
供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大电压增益 | 1000 | 1000 | 512 | 512 |
最小电压增益 | 1 | 1 | 1 | 1 |
包装说明 | - | DIP, DIP14,.3 | DIP, DIP14,.3 | DIP, DIP14,.3 |
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