Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IXYS |
包装说明 | PLASTIC, PLUS220, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
Is Samacsys | N |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 800 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 900 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
最大漏极电流 (ID) | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 540 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 36 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IXFV18N90P | IXFH18N90P | IXFV18N90PS | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | IXYS | IXYS | IXYS |
包装说明 | PLASTIC, PLUS220, 3 PIN | PLASTIC, TO-247, 3 PIN | PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 800 mJ | 800 mJ | 800 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 900 V | 900 V | 900 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A | 18 A | 18 A |
最大漏极电流 (ID) | 18 A | 18 A | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω | 0.6 Ω | 0.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 540 W | 540 W | 540 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 36 A | 36 A | 36 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
Is Samacsys | N | - | N |
JESD-609代码 | e1 | e1 | - |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
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