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HYB18H512321AF-12: 产品描述Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共100页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB18H512321AF-12概述

Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136

HYB18H512321AF-12规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA,
针数	136
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.22 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B136
长度	14 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	136
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	16MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.1 V
最小供电电压 (Vsup)	1.9 V
标称供电电压 (Vsup)	2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	11 mm
Base Number Matches	1

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Data Sheet, Rev. 1.73, Aug. 2005

HYB18H512321AF–12/14/16/20

HYB18H512321AFL14/16/20

512-Mbit GDDR3 Graphics RAM

RoHS compliant

Memory Products

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

HYB18H512321AF

512-Mbit GDDR3

Table of Contents

1.1

1.2

2.1

2.2

2.3

2.4

2.4.1

2.4.2

2.5

2.5.1

2.5.2

2.6

3.1

3.2

3.3

3.3.1

3.3.2

3.3.3

4.1

4.2

4.2.1

4.2.2

4.2.3

4.2.4

4.3

4.3.1

4.3.2

4.3.3

4.3.4

4.3.5

4.3.6

4.4

4.4.1

4.4.2

4.4.3

4.4.4

4.4.5

4.4.6

4.5

4.6

4.6.1

4.6.2

4.6.3

4.6.3.1

4.6.3.2

4.6.4

4.6.5

4.6.6

Overview

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Pin Configuration

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ball Definition and Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Mirror Function . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Functional Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Command Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Description of Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

State Diagram and Truth Tables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

State Diagram for One Activated Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Function Truth Table for more than one Activated Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Function Truth Table for CKE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Boundary Scan

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General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Disabling the scan feature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Scan Initilization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Scan initilization for Stand-Alone Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Scan initilization in regular SGRAM operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Scan Exit Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Functional Description

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Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Programmable impedance output drivers and active terminations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

GDDR3 IO Driver and Termination . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Self Calibration for Driver and Termination . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Dynamic Switching of DQ terminations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Output impedance and Termination DC Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Extended Mode Register Set Command (EMRS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DLL enable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

WR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Termination Rtt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Output Driver Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Low Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Vendor Code and Revision Identification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Mode Register Set Command (MRS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Burst length . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Burst type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

CAS Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Test mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DLL Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Bank / Row Activation (ACT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Writes (WR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write - Basic Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write - Basic Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write - Consecutive Bursts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Gapless Bursts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Bursts with Gaps . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write with Autoprecharge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write followed by Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write followed by DTERDIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Data Sheet

Rev. 1.73, 2005-08

05122004-B1L1-JEN8

HYB18H512321AF

512-Mbit GDDR3

4.6.7

4.6.8

4.7

4.7.1

4.7.2

4.7.3

4.7.3.1

4.7.4

4.7.5

4.7.6

4.7.7

4.7.8

4.8

4.8.1

4.8.2

4.8.3

4.9

4.10

4.11

4.11.1

4.12

4.13

4.14

4.14.1

4.14.2

4.14.3

4.14.4

4.14.5

5.1

5.2

5.2.1

5.3

5.4

5.5

5.6

5.7

5.7.1

5.7.2

5.8

5.9

5.10

5.10.1

5.10.2

5.11

5.12

5.13

6.1

6.2

Write with Autoprecharge followed by Read / Read with Autoprecharge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Write followed by Precharge on same bank. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Reads (RD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Read - Basic Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Read - Basic Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Consecutive Read Bursts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Gapless Bursts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Bursts with Gaps . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Read followed by DTERDIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Read with Autoprecharge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Read followed by Write . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Read followed by Precharge on the same Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Data Termination Disable (DTERDIS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DTERDIS followed by DTERDIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DTERDIS followed by READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DTERDIS followed by Write . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Precharge (PRE/PREALL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Auto Refresh Command (AREF) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Self-Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Self-Refresh Entry (SREFEN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Self-Refresh Exit (SREFEX) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Power-Down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DLL Off Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Frequency range in DLL off mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Initialization in DLL off mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Writes (WR) in DLL off mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Reads (RD) in DLL off mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Self Refresh in DLL off mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrical Characteristics

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Absolute Maximum Ratings and Operation Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DC Operation Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Recommended Power & DC Operation Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DC & AC Logic Input Levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Differential Clock DC and AC Levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Output Test Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Pin Capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Driver current characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Driver IV characteristics at 40 Ohms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Termination IV Characteristic at 60 Ohms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Termination IV Characteristic at 120 Ohms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Termination IV Characteristic at 240 Ohms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Current Ratings ( HYB18H512321AF–12/14/16/20 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Current Ratings (HYB18H512321AFL14/16/20) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Current Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

AC Timings ( HYB18H512321AF–12/14/16/20) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

AC Timings ( HYB18H512321AFL14/16/20) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Package

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98

Package Outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98

Package Thermal Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99

Data Sheet

Rev. 1.73, 2005-08

05122004-B1L1-JEN8

HYB18H512321AF-12相似产品对比

	HYB18H512321AF-12	HYB18H512321AFL20	HYB18H512321AF-16	HYB18H512321AF-20	HYB18H512321AF-14
描述	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.28ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.25ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136
零件包装代码	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	136	136	136	136	136
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.22 ns	0.35 ns	0.28 ns	0.35 ns	0.25 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B136	R-PBGA-B136	R-PBGA-B136	R-PBGA-B136	R-PBGA-B136
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	136	136	136	136	136
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.1 V	1.9 V	2.1 V	2.1 V	2.1 V
最小供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.7 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
标称供电电压 (Vsup)	2 V	1.8 V	2 V	2 V	2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Base Number Matches	1	1	1	-	-
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合	-
JESD-609代码	-	e1	e1	e1	-
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	260	-
端子面层	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-
处于峰值回流温度下的最长时间	-	40	40	40	-

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英特尔为iPhone供应芯片重返手机市场

　　据台湾《经济日报》报道，苹果iPhone 3G下一代产品将采用英特尔Atom处理器，预计于2009、2010年上市。　　3G版iPhone将于7月11日在22个国家和地区同步上市，由于其极具竞争力的价格，甚至在某些国家是零元手机，因此受到了消费者的广泛关注，同时也使诺基亚、三星等手机大厂倍感压力。　　据悉，3G iPhone目前采用的是三星处理器核心，但因英特尔Atom处理器具有省电...[详细]
在PSpice中仿真数字滤波器的传输线设计

　　设计人员使用Pspice时主要是仿真模拟电路。不过，用它也可以仿真数字滤波器。一个数字滤波器中的主要部件是延时元件、加法器和乘法器。加法器和乘法器可以用运算放大器来实现，延时元件可以用一根传输线来仿真。PSpice中的传输线是一种已被遗忘很久的元件，它可以实现数秒的延迟。　　　　例如，图1给出了一个二阶的回归数字滤波器。该滤波器的传递函数是：　　其中，H(z)是数字滤波器的传...[详细]
基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器

　　TD-SCDMA(时分同步码分多址接入)是第三代移动通信三大主流标准之一，是我国具有自主知识产权的通信标准，它标志着中国在移动通信领域已经进入世界先进行列，目前，TD-SCDMA的商用化进程正在顺利地进行之中。TD-SCDMA系统采用的是QPSK/8PSK调制，在高速的数据传输应用中，更是采用了如16QAM这样的调制方式。这些调制方式都属于非恒包络调制。由于调制信号在幅度和相位上都存在误差...[详细]
国标出台难解困国内RFID产业遭资本冷遇

　　“我们的专家组正在加紧工作，如果一切顺利，超高频RFID国家标准有望年内出台。”中国自动识别技术协会秘书长谢颖告诉上海证券报记者。　　谢颖表示，其实该协会一直有属于协会会员的标准，现在的工作是要将该标准通过更严格的审核上升为国家标准。　　标准缺失一直是我国RFID行业人的一块心病。RFID的应用具有跨行业、跨部门甚至全球性等特点，所以，RFID标准显得特别重要。目前国际上主...[详细]
如何应用计算机信息技术防范输液及用药差错

　　1 概述　　药品犹如“双刃剑”，可以治疗疾病，也可引起严重不良后果，药物的这种双重性取决于用药是否合理。不合理用药的危害十分严重，合理用药的必要性不容质疑，问题在于应采用什么手段才能防范不合理用药。　　防范不合理用药的手段主要有：实行临床药师审查制度；医师、护士、药剂人员资格审批制度；采用“合理用药”审查软件，进行合理用药审查。　　美国在实行临床药师审查制度基础上，于1992年制...[详细]
我国首台遗传性耳聋基因芯片检测系统

　　“遗传性耳聋基因芯片检测系统”研发日前获得成功，从而为耳聋出生缺陷的“早发现、早预防、早治疗”，提供了有效的高科技手段。　　据了解，以往临床医生对于耳聋预防可采取的办法很少，而且效果不佳。这项由生物芯片北京国家工程研究中心等单位联合取得的成果，可快速准确检测出遗传性耳聋成因，并有针对性地指导治疗。　　中国聋儿康复研究中心副主任孙喜斌教授介绍，我国有听力障碍患者总数达2780万多人，...[详细]
欲攻手机芯片市场破除高通垄断成关键

　　2006年，英特尔在耗费了6年的时间和约50亿美元的资金投入后，最终放弃了手机芯片市场。时隔两年，英特尔缩小了PC芯片，使手持机具有可以与PC相媲美的处理能力，一款名为凌动的芯片成为英特尔重返手机市场的最新一次尝试。　　成功打造了PC产业链的英特尔，在这样短的时间内做出如此重大的战略转变，足以说明手机市场对其巨大的吸引力。那么，英特尔重返手机芯片市场的深刻内涵是什么？它又能否重新锻造出...[详细]
未来几年忆阻器发展将迎来黄金时期

　　电子电路理论中的第四种无源元件——忆阻器（Memristor），通过控制衬底（基片）材料有望在2009年制作出一种新的存储器，从而向制造原型迈进一大步。　　4月，HP Labs研究者声称他们已经制造出忆阻器，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授在1971年的一篇论文中，假定其为第四种无源元件，其他三种则是电阻器、电容器和电感器。　　如今，HP Labs已经证实了怎样控制忆阻器材料，它会随着流...[详细]
采用DSP和FPGA构建高速高精运动控制器

　　数字信号处理器具有高效的数值运算能力，并能提供良好的开发环境，而可编程逻辑器件具有高度灵活的可配置性。本文描述了通过采用TMS320C32浮点DSP和可编程逻辑器件(FPGA)的组合运用来构成高速高精运动控制器，该系统通过B样条插值算法对运动曲线进行平滑处理以及运用离散PID算法对运动过程加以控制。　　运动控制卡已经在数控机床、工业机器人、医用设备、绘图仪、IC电路制造设备、IC封装...[详细]
PSoC电容式触摸感应技术

　　PSoC是由Cypress半导体公司推出的具有数字和模拟混合处理能力的可编程片上系统芯片，某些系列的PSoC（如CY8C21X34系列），由于其内部配备的特殊资源，使得它可以很容易地实现电容式触摸感应功能，仅需少量的几个外置分立元件，可以将每一个通用的I/O都配置为电容感应输入。　　电容式触摸感应原理如图1所示，电路板上两块相邻的覆铜之间存在一个固有的寄生电容Cp，当手指（或其他导体）靠近时...[详细]
BP01型压力传感器在便携血压计中应用

　　1概述 BP01型压力传感器是为监测血压而专门设计的，主要用于便携式电子血压计。它采用精密厚膜陶瓷芯片和尼龙塑料封装，具有高线性、低噪声和外界应力小的特点；采用内部标定和温度补偿方式，从而提高了测量的精度、稳定性以及可重复性，在全量程范围内，精度为±1％，零点失调不大于±300μV。 2 BP01的主要性能参数 BP01的内部等效电路和外形封装如图1所示；表1所列为BP...[详细]
几种新型的高性能生物电放大器

　　概述　　生物电信号十分微弱，在检测生物电信号的同时存在强大的干扰，因此，设计高质量的生物电放大器有许多技术困难。　　本文介绍了使用ADI公司生产的集成化仪用放大器和运算放大器，设计了几种新的结构形式的高性能生物电前置放大器。图1 生物电前置放大器设计应用一图2 生物电前置放大器设计应用二图3 生物电前置放大器设计应用三　　几种新型高性能生物...[详细]
推进便携式医疗设计的嵌入式处理器

　　便携式医疗设备的特殊性决定了它们应该是对用户友好的、必须工作在无菌环境下，并且空间占用小、耗能低。同时，便携式医疗设备还需要足够的计算能力以便处理医疗数据，能够连接到无线或有线接口以便记录和发送数据。从设计人员的角度考虑，上述需求需要低功耗的单片机（MCU）和数字信号控制器（Digital Signal Controller，DSC）。　　正是有了嵌入式处理器，设计人员才有可能设...[详细]
三星拟投资逾10亿美元改造内存芯片生产线

　　三星电子（Samsung Electronics）本周一宣布，该公司计划今年投资1.05万亿韩元（合10.5亿美元）对内存芯片生产线进行技术改造。　　三星电子在向证监会递交的文件中表示，这笔投资将用于改造生产线，改进生产工艺，以提高该公司在内存芯片产量和价格方面的竞争力。 ...[详细]
Jack Guedj就任Tensilica总裁及CEO

　　Tensilica公司今日全球发布，任命Jack Guedj博士为公司全球总裁及CEO，Tensilica卓越领导团队的扩充将为公司在新一轮增长期中更快发展奠定基础。Jack Guedj拥有丰富管理经验，曾率领多家初创公司快速发展，并担任通信和多媒体领域的知名半导体公司高级管理领导层。Guedj将继任公司创立者Chris Rowen博士的职位，继续推动Tensilica与战略客户在先进处理器...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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