Rambus DRAM Module, 32MX18, 53.3ns, CMOS, RIMM-184
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184,40 |
| 针数 | 184 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最长访问时间 | 53.3 ns |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
| 内存密度 | 603979776 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 18 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 184 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 32MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM184,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
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