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IDT72V51433L6BB8

产品描述FIFO, 32KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256
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文件大小465KB,共50页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT72V51433L6BB8概述

FIFO, 32KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256

IDT72V51433L6BB8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256
针数256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间3.7 ns
其他特性ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT
备用内存宽度9
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
周期时间6 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度589824 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量256
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.5 mm
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度17 mm
Base Number Matches1

 
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