Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | YAGEO(国巨) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 1000 ns |
最大开启时间(吨) | 250 ns |
VCEsat-Max | 0.5 V |
Base Number Matches | 1 |
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