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MUR815

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小187KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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MUR815概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

MUR815规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.975 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
MUR805 - -
-
MUR860
VOLTAGE RANGE: 50 --- 600V
CURRENT:
8.0A
ULTRA FAST RECTIFIER
Low cost
Diffused junction
Glass passivated junction
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Alcohol,Isopropanol and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
TO - 220AC
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC TO-220AC
Terminals: solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.064 ounces,1.81 gram
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
Device marking code
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
total device (rated V
R
),T
C
=150℃
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous
forward voltage (Note1)
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@I
F
=8.0A,T
C
=25℃
I
F
=8.0A,T
C
=150℃
@T
j
=25℃
T
j
=150℃
MUR
805
U805
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
MUR
810
U810
100
70
100
MUR
815
U815
150
105
150
8.0
MUR
820
U820
200
140
200
MUR
840
U840
400
280
400
MUR
860
U860
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
I
FSM
0.975
0.895
5.0
250
25
35
3.0
100
1.30
1.00
10
500
50
60
2.0
- 65 ---- + 175
- 65 ---- + 175
1.50
1.20
A
V
F
I
R
t
rr
R
θjC
T
j
T
STG
V
µA
ns
℃/W
Maximum reverse recovery time (Note2)
(Note3)
Typical thermal resistance junction to case
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:1.Pulse test:pulse width=300µs,duty cycle≤2.0%
2. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25 A.
3. Measured with I
F
=1.0A,di/dt=50A/µs.
www.galaxycn.com
Document Number 0264045
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

 
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