D ts e t
aa h e
R c e t r lc r nc
o h se Ee to is
Ma u a t r dCo o e t
n fc u e
mp n n s
R c e tr b a d d c mp n ns ae
o h se rn e
o oet r
ma ua trd u ig ete dewaes
n fcue sn i r i/ fr
h
p rh s d f m te oiia s p l r
uc a e r
o h r n l u pi s
g
e
o R c e tr waes rce td f m
r o h se
fr e rae r
o
te oiia I. Al rce t n ae
h
r nl P
g
l e rai s r
o
d n wi tea p o a o teOC
o e t h p rv l f h
h
M.
P r aetse u igoiia fcoy
at r e td sn r n la tr
s
g
ts p o rmso R c e tr e eo e
e t rga
r o h se d v lp d
ts s lt n t g aa te p o u t
e t oui s o u rne
o
rd c
me t o e c e teOC d t s e t
es r x e d h
M aa h e.
Qu l yOv riw
ai
t
e ve
• IO- 0 1
S 90
•A 92 cr ct n
S 1 0 et ai
i
o
• Qu l e Ma ua trr Ls (
ai d
n fcues it QML MI- R -
) LP F
385
53
•C a sQ Mitr
ls
lay
i
•C a sVS a eL v l
ls
p c ee
• Qu l e S p l r Ls o D sr uos( L )
ai d u pi s it f it b tr QS D
e
i
•R c e trsacic l u pir oD A a d
o h se i
r ia s p l t L n
t
e
me t aln u t a dD A sa d r s
es lid sr n L tn ad .
y
R c e tr lcrnc , L i c mmi e t
o h se Ee t is L C s o
o
tdo
t
s p ligp o u t ta s t f c so r x e t-
u pyn rd cs h t ai y u tme e p ca
s
t n fr u lya daee u loto eoiial
i s o q ai n r q a t h s r n l
o
t
g
y
s p l db id sr ma ua trr.
u pi
e yn ut
y n fcues
T eoiia ma ua trr d ts e t c o a yn ti d c me t e e t tep r r n e
h r n l n fcue’ aa h e a c mp n ig hs o u n r cs h ef ma c
g
s
o
a ds e ic t n o teR c e tr n fcue v rino ti d vc . o h se Ee t n
n p c ai s f h o h se ma ua trd eso f hs e ie R c e tr lcr -
o
o
isg aa te tep r r n eo i s mio d co p o u t t teoiia OE s e ic -
c u rne s h ef ma c ft e c n u tr rd cs o h r n l M p c a
o
s
g
t n .T pc lv le aefr eee c p r o e o l. eti mii m o ma i m rt g
i s ‘y ia’ au s r o rfrn e up s s ny C r n nmu
o
a
r xmu ai s
n
ma b b s do p o u t h rceiain d sg , i lt n o s mpetsig
y e a e n rd c c aa tr t , e in smuai , r a l e t .
z o
o
n
© 2 1 R cetr l t n s LC Al i t R sre 0 1 2 1
0 3 ohs E cr i , L . lRg s eevd 7 1 0 3
e e oc
h
T l r m r, l s v iw wrcl . m
o e n oe p ae it w . e c o
a
e
s
o ec
BD787 − NPN, BD788 − PNP
Complementary Plastic
Silicon Power Transistors
These devices are designed for lower power audio amplifier and
low current, high−speed switching applications.
Features
http://onsemi.com
•
Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − V
CEO(sus)
60 Vdc (Min)
•
High Current−Gain − Bandwidth Product −
f
T
= 50 MHz (Min) @ I
C
= 100 mAdc
•
Collector−Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and
4.0 Adc
•
Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Base Current
Symbol
V
CEO
Value
60
80
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
4 AMPERES
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
60 VOLTS, 15 WATTS
ÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
6.0
4.0
8.0
1.0
− Continuous
− Peak
− Continuous
Total Power Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
P
D
15
0.12
W
mW/_C
_C
T
J
, T
stg
–65 to +150
TO−225
CASE 77
STYLE 1
3
2 1
MARKING DIAGRAM
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
qJC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Case
8.34
_C/W
YWW
BD78xG
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
Y
= Year
WW
= Work Week
BD78x = Device Code
x = 7 or 8
G
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
Device
BD787
BD787G
BD788
BD788G
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Package
TO−225
TO−225
(Pb−Free)
TO−225
TO−225
(Pb−Free)
Shipping
500 Units/Box
500 Units/Box
500 Units/Box
500 Units/Box
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
February, 2006 − Rev. 11
Publication Order Number:
BD787/D
ÎÎ Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎ Î Î
Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Indicates JEDEC Registered Data
1. Pulse Test; Pulse Width
v
300
ms,
Duty Cycle
v
2.0%.
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS*
(T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Small−Signal Current Gain
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
(f = 0.1 MHz)
Current−Gain − Bandwidth Product
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 10 MHz)
Base−Emitter On Voltage
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 2.0 Adc, I
B
= 200 mAdc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc)
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 100 mAdc)
(I
C
= 2.0 Adc, I
B
= 200 mAdc)
(I
C
= 4.0 Adc, I
B
= 800 mAdc)
DC Current Gain
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 3.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 Vdc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 80 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
(V
CE
= 40 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 125°C)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 20 Vdc, I
B
= 0)
(V
CE
= 30 Vdc, I
B
= 0)
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
Characteristic
BD787 − NPN, BD788 − PNP
http://onsemi.com
BD787
BD788
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
I
CEO
I
EBO
I
CEX
C
ob
h
FE
h
fe
f
T
Min
40
25
20
5.0
10
50
60
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Max
250
−
−
−
100
1.8
2.0
0.4
0.6
0.8
2.5
1.0
1.0
0.1
50
70
−
−
−
mAdc
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
−
−
2
BD787 − NPN, BD788 − PNP
16
TC
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
1.6
TA
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
12
1.2
8.0
0.8
4.0
0.4
0
20
40
60
80
100
120
140
0
160
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
+ 30 V
V
CC
25
ms
+ 11 V
0
− 9.0 V
t
r
, t
f
v
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
R
B
51
−4V
D
1
R
C
SCOPE
t, TIME (ns)
500
300
200
100
70
50
30
20
t
d
@ V
BE(off)
= 5.0 V
BD787 (NPN)
BD788 (PNP)
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
4.0
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
R
B
AND R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE I
B
[
100 mA
MSD6100 USED BELOW I
B
[
100 mA
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES.
10
7.0
5.0
0.04 0.06
Figure 2. Switching Time Test Circuit
Figure 3. Turn−On Time
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P
(pk)
R
qJC(t)
= r(t) R
qJC
R
qJC
= 8.34°C/W MAX
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
0.2
0.5
1.0
2.0
t, TIME (ms)
5.0
10
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
− T
C
= P
(pk)
R
qJC(t)
20
50
100
200
0.02
0.01
0 (SINGLE PULSE)
0.05
0.1
Figure 4. Thermal Response
http://onsemi.com
3
BD787 − NPN, BD788 − PNP
10
1.0 ms
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1
5.0 ms
T
J
= 150°C
dc
100
ms
500
ms
0.05
0.02
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ T
C
= 25°C
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW RATED V
CEO
BD787 (NPN) BD788 (PNP)
60 V
0.01
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
− V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on T
J(pk)
= 150_C: T
C
is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T
J(pk)
v
150_C, T
J(pk)
may be calculated from the data in
Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
2000
1000
700
500
t, TIME (ns)
300
200
100
70
50
30
20
0.04 0.06
t
f
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
200
T
J
= 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
100
C
ib
70
50
30
20
(NPN)
(PNP)
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
4.0
10
1.0
(NPN)
(PNP)
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
50
70 100
C
ob
Figure 6. Turn−Off Time
Figure 7. Capacitance
NPN
BD787
400
300
hFE , DC CURRENT GAIN
200
T
J
= 150°C
25°C
−55
°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 3.0 V
hFE , DC CURRENT GAIN
200
NPN
BD788
100
70
50
30
20
T
J
= 150°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 3.0 V
100
70
50
30
20
0.04 0.06
0.1
−55
°C
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
10
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 8. DC Current Gain
http://onsemi.com
4
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
