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RJU6052SDPD-E0-J2

产品描述10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252, TO-252, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJU6052SDPD-E0-J2概述

10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252, TO-252, 3 PIN

RJU6052SDPD-E0-J2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-252
包装说明R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)3 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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Preliminary
Datasheet
RJU6052SDPD
Single Diode
Ultra Fast Recovery Diode
Features
Ultra fast reverse recovery time: t
rr
= 25 ns typ. (at I
F
= 10 A, di/dt =
−100
A/μs)
Low forward voltage: V
F
= 2.5 V typ. (at I
F
= 10 A)
Low reverse current: I
R
= 1
μA
max. (at V
R
= 600 V)
R07DS0379EJ0100
Rev.1.00
Apr 26, 2011
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-A
(Package name : TO-252)
4
2, 4
1.
2.
3.
4.
Anode
Cathode
Anode
Cathode
12
3
1
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Maximum reverse voltage
Continuous forward current
Symbol
V
RM
I
F
I
F
I
FSM
θj-cd
Tj
Tstg
Ratings
600
10
5
30
2.45
150
–55 to +150
Unit
V
A
A
A
°C/W
°C
°C
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Peak surge forward current
Junction to case thermal resistance
Junction temperature
Storage temperature
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Forward Voltage
Reverse current
Reverse Recovery Time
Symbol
V
F
I
R
t
rr
Min
Typ
2.5
25
Max
3.0
1
Unit
V
μA
ns
Test conditions
I
F
= 10 A
V
R
= 600 V
I
F
= 10 A, di/dt =
−100
A/μs
R07DS0379EJ0100 Rev.1.00
Apr 26, 2011
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