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FMG7AT148

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-74A, 5 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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FMG7AT148概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-74A, 5 PIN

FMG7AT148规格参数

参数名称属性值
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-74A
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性DIGITAL
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G5
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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Transistors
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N /
FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8A
General purpose (dual digital transistors)
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N
FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8A
Features
1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package.
Equivalent circuit
EMG4 / UMG4N
(3)
(2)
(1)
EMH4 / UMH4N
(3)
(2)
(1)
UMG7N
(3)
(2)
(1)
UMH8N
(3)
(2)
(1)
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
(4)
(5)
(4)
(5)
(6)
(4)
R
1
(5)
R
1
(4) (5)
(6)
FMG4A
(3)
(4)
(5)
IMH4A
(4)
(5)
(6)
FMG7A
(3)
(4)
(5)
IMH8A
(4)
(5)
(6)
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
(2)
(1)
(3)
(2)
(1)
(2)
R
1
(1)
R
1
(3) (2)
(1)
Absolute maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N
Power
dissipation
FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8A
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Tj
Tstg
Limits
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
−55
~
+150
Unit
V
V
V
mA
mW
∗1
∗2
Junction temperature
Storage temperature
∗1
120mW per element must not be exceeded.
∗2
200mW per element must not be exceeded.
°C
°C
Electrical characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Input resistance
∗Transition
frequency of the device.
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
R
1
Min.
50
50
5
100
7
Typ.
250
250
10
Max.
0.5
0.5
0.3
600
13
Unit
V
V
V
µA
µA
V
MHz
kΩ
I
C
=50µA
I
C
=1mA
I
E
=50µA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
Conditions
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
=−5mA,
f=100MHz

 
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