Synchronous DRAM Module, 8MX72, 5.4ns, CMOS, PBGA124, BGA-124
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | BGA, BGA124,12X22,50 |
| 针数 | 124 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B124 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 32 mm |
| 内存密度 | 603979776 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 72 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 124 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8MX72 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA124,12X22,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 座面最大高度 | 5.8 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.9 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 18 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
