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HM51W18160BLTT-7

产品描述Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
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文件大小278KB,共33页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM51W18160BLTT-7概述

Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

HM51W18160BLTT-7规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数50
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度20.95 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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HM51W16160B Series
HM51W18160B Series
1048576-word
×
16-bit Dynamic Random Access Memory
ADE-203-538 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Mar. 11, 1996
Description
The Hitachi HM51W16160B Series, HM51W18160B Series are CMOS dynamic RAMs
organized as 1,048,576-word
×
16-bit. They employ the most advanced CMOS technology
for high performance and low power. The HM51W16160B Series, HM51W18160B Series
offer Fast Page Mode as a high speed access mode.
Features
Single 3.3 V (±0.3 V)
High speed
Access time: 60 ns/70 ns/80 ns (max)
Low power dissipation
Active mode :
360 mW/324 mW/288 mW (max) (HM51W16160B Series)
612 mW/540 mW/468 mW (max) (HM51W18160B Series)
Standby mode : 7.2 mW (max)
: 0.54 mW (max) (L-version)
Fast page mode capability
Long refresh period
4096 refresh cycles
: 64 ms (HM51W16160B Series)
: 128 ms (L-version)
1024 refresh cycles
: 16 ms (HM51W18160B Series)
: 128 ms (L-version)
Preliminary: This document contains information on a new product. Specifications and
information contained herein are subject to change without notice.
This specification is fully compatible with the 16-Mbit DRAM specifications from TEXAS
INSTRUMENTS.
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