31.5 dBm, 850 MHz HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR LDMOS FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | FLATPACK, R-PDFP-F4 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 35 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDFP-F4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
MXR9745T1 | MXR9745RT1 | |
---|---|---|
描述 | 31.5 dBm, 850 MHz HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR LDMOS FET | 31.5 dBm, 850 MHz HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR LDMOS FET |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | FLATPACK, R-PDFP-F4 | FLATPACK, R-PDFP-F4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 35 V | 35 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A | 2 A |
最大漏极电流 (ID) | 2 A | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDFP-F4 | R-PDFP-F4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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