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MID150-12A4

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共1页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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MID150-12A4概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

MID150-12A4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)180 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X5
元件数量1
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)830 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)570 ns
标称接通时间 (ton)170 ns
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1

MID150-12A4相似产品对比

MID150-12A4 MID200-12A4 MID550-12A4 MDI150-12A4 MII150-12A4 MII200-12A4 MDI550-12A4
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 270A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 670A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 270A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 670A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 180 A 270 A 670 A 180 A 180 A 270 A 670 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X5 R-XUFM-X5 R-XUFM-X5 R-XUFM-X5 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7 R-XUFM-X5
元件数量 1 1 1 1 2 2 1
端子数量 5 5 5 5 7 7 5
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 830 W 1250 W 2750 W 830 W 830 W 1250 W 2750 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 570 ns 700 ns 690 ns 570 ns 570 ns 700 ns 690 ns
标称接通时间 (ton) 170 ns 150 ns 160 ns 170 ns 170 ns 150 ns 160 ns
VCEsat-Max 3 V 3 V 2.8 V 3 V 3 V 3 V 2.8 V
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
厂商名称 - Littelfuse - Littelfuse Littelfuse Littelfuse Littelfuse
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