SST88VP1107-80-5C-LBSE,SST88VP1107-80-5C-LBSE pdf中文资料,SST88VP1107-80-5C-LBSE引脚图,SST88VP1107-80-5C-LBSE电路-Datasheet-电子工程世界

SST88VP1107-80-5C-LBSE: 产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80, 10 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, LBGA-80; 产品类别存储存储; 文件大小240KB，共14页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

SST88VP1107-80-5C-LBSE概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80, 10 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, LBGA-80

	SST88VP1107-80-5C-LBSE	SST88VP1107-80-5W-LBSE
描述	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80, 10 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, LBGA-80	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80, 10 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, LBGA-80
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA
包装说明	LBGA,	LBGA,
针数	80	80
Reach Compliance Code	compliant	compliant
其他特性	PSRAM IS ALSO ORGANISED AS 4M X 32	PSRAM IS ALSO ORGANISED AS 4M X 32
JESD-30 代码	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80
长度	13 mm	13 mm
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	32	32
功能数量	1	1
端子数量	80	80
字数	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C
组织	64MX32	64MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
宽度	10 mm	10 mm
Base Number Matches	1	1